Weitere Produktangebote FDS6982AS nach Preis ab 1.23 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FDS6982AS | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6982AS | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6982AS | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6982AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS6982as | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Сдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Група товару: Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS6982as | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6982as | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6982as | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS6982as | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V |
Produkt ist nicht verfügbar |