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Technische Details FDS86141 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS86141 nach Preis ab 1.11 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDS86141 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 23801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS86141 | Hersteller : ONSEMI |
FDS86141 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS86141 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V |
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