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FDS86141

FDS86141 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details FDS86141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.69 EUR
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2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 1871 Stücke:
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90+1.98 EUR
94+1.86 EUR
122+1.39 EUR
500+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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76+2.32 EUR
82+2.07 EUR
84+1.95 EUR
86+1.83 EUR
112+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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auf Bestellung 1525 Stücke:
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71+2.39 EUR
72+2.28 EUR
100+2.17 EUR
250+2.06 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
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auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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65+2.71 EUR
67+2.56 EUR
69+2.37 EUR
73+2.18 EUR
105+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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FDS86141 FDS86141 ON Semiconductor 3658154936293397fds86141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3350 Stücke:
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237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.23 EUR
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FDS86141 FDS86141 ONSEMI 2304633.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS86141 FDS86141 onsemi / Fairchild FDS86141-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
auf Bestellung 5025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS86141 FDS86141 onsemi fds86141-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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10+3.72 EUR
100+2.75 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.03 EUR
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FDS86141 FDS86141 ONSEMI 2304633.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
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35+7.2 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS86141
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.69 EUR
5000+1.62 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1871 Stücke:
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90+1.98 EUR
94+1.86 EUR
122+1.39 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.32 EUR
82+2.07 EUR
84+1.95 EUR
86+1.83 EUR
112+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
76+2.32 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
71+2.39 EUR
72+2.28 EUR
100+2.17 EUR
250+2.06 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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FDS86141
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.71 EUR
67+2.56 EUR
69+2.37 EUR
73+2.18 EUR
105+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
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FDS86141
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS86141
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 23870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.08 EUR
10+2.75 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS86141
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 934 pF @ 50 V
auf Bestellung 5025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS86141
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.07 EUR
10+3.72 EUR
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500+2.24 EUR
1000+2.03 EUR
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FDS86141
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.2 EUR
54+4.32 EUR
100+2.81 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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