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Technische Details FDS86240 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS86240 nach Preis ab 1.92 EUR bis 4.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDS86240 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V |
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FDS86240 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 16081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS86240 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V |
auf Bestellung 14802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS86240 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS86240 | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS86240 | Hersteller : ONSEMI |
FDS86240 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |