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Technische Details FDS8813NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDS8813NZ nach Preis ab 0.83 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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FDS8813NZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V |
auf Bestellung 37762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8813NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8813NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8813NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8813NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8813NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8813NZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 40892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDS8813NZ | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8813NZ | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 57401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8813NZ | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8813NZ | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8813NZ | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8813NZ |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
auf Bestellung 37762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.15 EUR |
| 5000+ | 1.12 EUR |
| FDS8813NZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 151+ | 1.17 EUR |
| 154+ | 1.13 EUR |
| 156+ | 1.09 EUR |
| 159+ | 1.05 EUR |
| 250+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| FDS8813NZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 149+ | 1.18 EUR |
| 151+ | 1.12 EUR |
| 154+ | 1.07 EUR |
| 156+ | 1.01 EUR |
| 159+ | 0.95 EUR |
| 250+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| FDS8813NZ |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.14 EUR |
| 10+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| 2500+ | 1.18 EUR |
| 5000+ | 1.14 EUR |
| FDS8813NZ |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.55 EUR |
| 101+ | 2.31 EUR |
| 136+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.55 EUR |
| 101+ | 2.31 EUR |
| 136+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| FDS8813NZ |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 40892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 317+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 57401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 317+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 10000+ | 1.17 EUR |
| FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 317+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 317+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| FDS8813NZ |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 317+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |





