FDS8817NZ ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8817NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDS8817NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDS8817NZ ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8817NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote FDS8817NZ
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
FDS8817NZ | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 2344 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
||
FDS8817NZ | Hersteller : FAIRCHIL | SOP8 |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
FDS8817NZ | Hersteller : Fairchild |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
FDS8817NZ | Hersteller : FAIRCHILD | 09+ |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
FDS8817NZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDS8817NZ | Hersteller : ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
FDS8817NZ | Hersteller : ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |