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FDS8858CZ

FDS8858CZ ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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706+0.93 EUR
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Technische Details FDS8858CZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1749 Stücke:
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FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
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144+1.21 EUR
184+0.92 EUR
186+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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FDS8858CZ FDS8858CZ ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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134+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 46/24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 8.6/-7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25/±20V
Case: SO8
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
56+1.54 EUR
66+1.31 EUR
97+0.88 EUR
113+0.75 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDS8858CZ FDS8858CZ Fairchild info-tfds8858cz.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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20+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
168+1.39 EUR
216+1 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2266 Stücke:
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100+2.77 EUR
168+1.39 EUR
216+1 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS8858CZ FDS8858CZ onsemi fds8858cz-d.pdf MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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2+2.87 EUR
10+1.62 EUR
100+1.14 EUR
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1000+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS8858CZ FAIRCHILD fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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706+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
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FDS8858CZ Fairchild/ON Semiconductor FDS8858CZ.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 149 Stücke:
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FDS8858CZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
706+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 706 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
184+0.95 EUR
186+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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FDS8858CZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.21 EUR
184+0.92 EUR
186+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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FDS8858CZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.79 EUR
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FDS8858CZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 46/24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 8.6/-7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25/±20V
Case: SO8
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
auf Bestellung 1795 Stücke:
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56+1.54 EUR
66+1.31 EUR
97+0.88 EUR
113+0.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDS8858CZ
Hersteller: Fairchild
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS8858CZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
168+1.39 EUR
216+1 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS8858CZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.77 EUR
168+1.39 EUR
216+1 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS8858CZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 18794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+2.87 EUR
10+1.62 EUR
100+1.14 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 149 Stücke:
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