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FDS8858CZ

FDS8858CZ ON Semiconductor

fds8858cz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS8858CZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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5000+0.58 EUR
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15000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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191+0.73 EUR
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250+0.58 EUR
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : onsemi / Fairchild fds8858cz-d.pdf MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : onsemi fds8858cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
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500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8858CZ Hersteller : Fairchild fds8858cz-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDS8858CZ Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 7,3 А; Qg, нКл = 24; Rds = 17 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 0,9 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; ton = 20 нс; toff = 20 нс; SOICN-8
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ON Semiconductor fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS8858CZ FDS8858CZ Hersteller : ONSEMI fds8858cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.6/-7.3A
On-state resistance: 28.8/24.3mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46/24nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25/±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
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