
FDS8858CZ ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.55 EUR |
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15000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details FDS8858CZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDS8858CZ nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 47043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 45546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 15577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
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auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8858CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8858CZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8858CZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 8.6/-7.3A On-state resistance: 28.8/24.3mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 46/24nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25/±20V Mounting: SMD |
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