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FDS8858CZ

FDS8858CZ Fairchild

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Hersteller: Fairchild
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS8858CZ TFDS8858cz
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Technische Details FDS8858CZ Fairchild

Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8858CZ FDS8858CZ onsemi fds8858cz-d.pdf MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8858CZ FDS8858CZ ONSEMI 2298361.pdf Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDS8858CZ FAIRCHILD fds8858cz-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
706+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 706 Stücke
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FDS8858CZ Fairchild/ON Semiconductor FDS8858CZ.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 149 Stücke:
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FDS8858CZ fds8858cz-d.pdf
FDS8858CZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
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FDS8858CZ 2298361.pdf
FDS8858CZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
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MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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FDS8858CZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8858CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 7,3 А, Qg, нКл = 24, Rds = 17 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ton = 20 нс, toff = 20 нс,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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