auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.3 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
| 7500+ | 0.26 EUR |
| 12500+ | 0.24 EUR |
| 17500+ | 0.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDS8878 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDS8878 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 15181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
FDS8878 Produktcode: 61968
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 314804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V |
auf Bestellung 571358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 1336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| FDS8878 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |