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Technische Details FDS8878 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS8878 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8878 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 5838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8878 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8878 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FDS8878 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8878 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 236009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8878 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS8878 Produktcode: 61968
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| FDS8878 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8878 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 15181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8878 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8878 | Hersteller : ONSEMI |
FDS8878 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8878 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
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