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FDS8880 ON Semiconductor

Name: FDS8880
Brand: ON Semiconductor
SKU: 179631-5
Price: 1075.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R

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Technische Details FDS8880 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDS8880 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.78 EUR

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FDS8880

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R

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FDS8880

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V

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FDS8880

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R

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FDS8880

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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74+	0.97 EUR
104+	0.69 EUR
136+	0.53 EUR
152+	0.47 EUR
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FDS8880

Hersteller : ONSEMI

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74+	0.97 EUR
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FDS8880

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R

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103+	1.41 EUR
153+	0.91 EUR
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500+	0.47 EUR
1000+	0.41 EUR
2500+	0.34 EUR
5000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 103

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FDS8880

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V

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10+	1.76 EUR
16+	1.1 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

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FDS8880

Hersteller : onsemi

MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

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2+	1.78 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDS8880

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R

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FDS8880

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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FDS8880

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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FDS8880

Hersteller : ON-Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
50+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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FDS8880

Hersteller : Fairchild

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
25+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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