FDS8880

FDS8880 ON Semiconductor


fds8880-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDS8880 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDS8880 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : onsemi FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.49 EUR
5000+0.47 EUR
12500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
932+0.58 EUR
1010+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 932
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
932+0.58 EUR
1010+0.52 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 932
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
246+0.59 EUR
257+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.6 EUR
5000+0.53 EUR
7500+0.5 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
213+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS8880_D-2313194.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 36642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.83 EUR
10+0.76 EUR
100+0.62 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.87 EUR
213+0.66 EUR
239+0.56 EUR
249+0.52 EUR
262+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA05958798C259&compId=FDS8880.pdf?ci_sign=d754b3901a58adde7db0f6aa427e1289cdebfa33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
104+0.69 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA05958798C259&compId=FDS8880.pdf?ci_sign=d754b3901a58adde7db0f6aa427e1289cdebfa33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
104+0.69 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : onsemi FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
auf Bestellung 19919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.3 EUR
16+1.12 EUR
100+0.78 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 Hersteller : ON-Semicoductor FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 Hersteller : Fairchild FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Hersteller : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH