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FDS8880

FDS8880 ON Semiconductor

fds8880-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FDS8880 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDS8880 nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 ON-Semiconductor info-tfds8880.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 ONSEMI FDS8880.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Technology: PowerTrench®
Drain current: 11.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
104+0.82 EUR
136+0.63 EUR
152+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.15 EUR
211+0.82 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 Fairchild info-tfds8880.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
153+1.09 EUR
214+0.76 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
137+1.7 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
137+1.7 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8880
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8880
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS8880
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Technology: PowerTrench®
Drain current: 11.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+1.15 EUR
104+0.82 EUR
136+0.63 EUR
152+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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FDS8880
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
151+1.15 EUR
211+0.82 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
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FDS8880
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS8880
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.7 EUR
153+1.09 EUR
214+0.76 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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FDS8880
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1409 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.12 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.57 EUR
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FDS8880
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.75 EUR
137+1.7 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.75 EUR
137+1.7 EUR
208+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
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