FDS8884


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Produktcode: 34721
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8884 FDS8884 Fairchild info-tfds8884.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
258+0.65 EUR
260+0.63 EUR
341+0.46 EUR
344+0.44 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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FDS8884 FDS8884 UMW f36f265f612ecfa7529eacde12f01124.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1531 Stücke:
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20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS8884 FDS8884 onsemi / Fairchild FDS8884_D-2313124.pdf MOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 7238 Stücke:
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3+1.37 EUR
10+0.93 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
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FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7460 Stücke:
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140+1.78 EUR
197+1.18 EUR
289+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8884 Aptina Imaging f36f265f612ecfa7529eacde12f01124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
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260+0.68 EUR
341+0.51 EUR
344+0.5 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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FDS8884 info-tfds8884.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDS8884 fds8884-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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344+0.44 EUR
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FDS8884 f36f265f612ecfa7529eacde12f01124.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS8884 FDS8884_D-2313124.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
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FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FDS8884 f36f265f612ecfa7529eacde12f01124.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
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341+0.51 EUR
344+0.5 EUR
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