FDS8884 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.34 EUR |
| 7500+ | 0.33 EUR |
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Technische Details FDS8884 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDS8884 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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FDS8884 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8884 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8884 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8884 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET |
auf Bestellung 7238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8884 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V |
auf Bestellung 12041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8884 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8884 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8884 | Hersteller : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDS8884 | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8884 Produktcode: 34721
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDS8884 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8884 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8884 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
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