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FDS8884

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8884 FDS8884 Fairchild info-tfds8884.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDS8884 FDS8884 UMW ae87040f083b0360f5d5d92c6cdfb8e2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
50+0.52 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.78 EUR
197+1.18 EUR
289+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FDS8884 info-tfds8884.pdf
FDS8884
Hersteller: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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FDS8884
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
50+0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8884
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7460 Stücke:
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197+1.18 EUR
289+0.74 EUR
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5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
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