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FDS8884

FDS8884 onsemi

FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
7500+0.33 EUR
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Technische Details FDS8884 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
204+0.72 EUR
258+0.55 EUR
260+0.52 EUR
341+0.38 EUR
344+0.36 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 204
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0818FDC78259&compId=FDS8884.pdf?ci_sign=f310d958d4d5d2e54e83de3f531ace139739cf7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
132+0.54 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0818FDC78259&compId=FDS8884.pdf?ci_sign=f310d958d4d5d2e54e83de3f531ace139739cf7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 269 Stücke:
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Anzahl Preis
85+0.84 EUR
132+0.54 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS8884_D-2313124.pdf MOSFETs 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
auf Bestellung 7238 Stücke:
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3+1.15 EUR
10+0.78 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.40 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : onsemi FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
auf Bestellung 12041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.43 EUR
20+0.91 EUR
100+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8884 FDS8884 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.56 EUR
341+0.41 EUR
344+0.40 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
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FDS8884 Hersteller : Fairchild FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+0.57 EUR
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FDS8884 FDS8884
Produktcode: 34721
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