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FDS89141

FDS89141 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS89141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDS89141 FDS89141 ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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100+3.26 EUR
500+2.76 EUR
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FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 onsemi / Fairchild fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS89141 FDS89141 onsemi fds89141-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS89141 FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDS89141 FDS89141 onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 1983 Stücke:
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3+7.66 EUR
10+5.03 EUR
100+3.53 EUR
500+2.95 EUR
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FDS89141
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.59 EUR
73+2.33 EUR
74+2.23 EUR
100+1.94 EUR
250+1.86 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.69 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2578 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
68+2.59 EUR
73+2.39 EUR
74+2.31 EUR
100+2.05 EUR
250+2.01 EUR
500+1.98 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDS89141
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDS89141
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+3.49 EUR
5000+3.17 EUR
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FDS89141
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+4.19 EUR
52+3.27 EUR
83+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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10+4.44 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.27 EUR
10+4.77 EUR
100+3.33 EUR
500+2.76 EUR
2500+2.57 EUR
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FDS89141
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5743 Stücke:
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50+5.33 EUR
100+3.45 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Configuration: 2 N-Channel (Dual)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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