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Technische Details FDS89141 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDS89141 nach Preis ab 1.59 EUR bis 4.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS89141 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS89141 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDS89141 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS89141 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDS89141 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS89141 | Hersteller : ONSEMI |
FDS89141 Multi channel transistors |
auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS89141 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
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