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FDS89141

FDS89141 ON Semiconductor

3656260418624836fds89141.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS89141 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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68+2.13 EUR
73+1.92 EUR
74+1.83 EUR
100+1.59 EUR
250+1.53 EUR
500+1.46 EUR
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE711DE3F736259&compId=FDS89141.pdf?ci_sign=9360e5de0817338fcf1f52678f4606d59b1c7008 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
28+2.65 EUR
29+2.52 EUR
30+2.39 EUR
32+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE711DE3F736259&compId=FDS89141.pdf?ci_sign=9360e5de0817338fcf1f52678f4606d59b1c7008 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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52+2.69 EUR
83+1.63 EUR
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS89141_D-2312937.pdf MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+4.65 EUR
10+3.85 EUR
100+3.08 EUR
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : onsemi fds89141-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 40293 Stücke:
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4+4.88 EUR
10+3.57 EUR
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500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7970 Stücke:
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ONSEMI 2303827.pdf Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor 3656260418624836fds89141.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89141 FDS89141 Hersteller : ON Semiconductor fds89141-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
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