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FDS8978

FDS8978 UMW


2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Technische Details FDS8978 UMW

Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : onsemi fds8978-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : ONSEMI 1729182.pdf Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDS8978 Hersteller : Fairchild fds8978-d.pdf 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf 2x N-MOSFET 30V 7.5A 1.6W FDS8978 TFDS8978
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
30+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8978 Hersteller : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8978 Hersteller : ONSEMI fds8978-d.pdf 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf FDS8978 Multi channel transistors
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : onsemi fds8978-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : UMW 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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FDS8978 FDS8978 Hersteller : onsemi / Fairchild FDS8978_D-2312938.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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