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FDS9958

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Produktcode: 177119
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FDS9958 FDS9958 onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS9958 FDS9958 ON-Semiconductor info-tfds9958.pdf Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FDS9958 FDS9958 onsemi / Fairchild fds9958-d.pdf MOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 4883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.31 EUR
100+1.02 EUR
500+0.83 EUR
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FDS9958 FDS9958 onsemi fds9958-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDS9958 FDS9958 ONSEMI fds9958-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS9958 ONS/FAI fds9958-d.pdf MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
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2+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS9958
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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AnzahlPreis
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS9958
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans. 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9958-F085; FDS9958TR SO8 TFDS9958
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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FDS9958
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -60V Dual P-Channel PowerTrench
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AnzahlPreis
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10+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS9958
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2663 Stücke:
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AnzahlPreis
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
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FDS9958
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9958 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.082ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: ONS/FAI
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
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