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FDT3612

FDT3612 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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28000+0.38 EUR
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Technische Details FDT3612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote FDT3612 nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDT3612 FDT3612 onsemi fdt3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.5 EUR
8000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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auf Bestellung 28000 Stücke:
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4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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auf Bestellung 4915 Stücke:
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175+1.01 EUR
217+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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FDT3612 FDT3612 ON Semiconductor fdt3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
173+0.98 EUR
175+0.94 EUR
217+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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FDT3612 FDT3612 onsemi / Fairchild fdt3612-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
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3+1.62 EUR
10+1.18 EUR
100+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDT3612 FDT3612 ONSEMI ONSM-S-A0013180482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
160+1.45 EUR
209+1.02 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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auf Bestellung 32801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 FDT3612 onsemi fdt3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
auf Bestellung 10066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDT3612 Fairchild/ON Semiconductor FDT3612-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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FDT3612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.5 EUR
8000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT3612
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+1.01 EUR
217+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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auf Bestellung 4915 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
152+1.15 EUR
173+0.98 EUR
175+0.94 EUR
217+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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FDT3612
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 40607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.62 EUR
10+1.18 EUR
100+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
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FDT3612
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 644 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
160+1.45 EUR
209+1.02 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 32801 Stücke:
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10+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDT3612
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
auf Bestellung 10066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.2 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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