Produkte > ONSEMI > FDT439N
FDT439N

FDT439N onsemi


fdt439n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.48 EUR
8000+0.46 EUR
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDT439N onsemi

Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDT439N nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDT439N FDT439N Hersteller : onsemi / Fairchild FDT439N-D.PDF MOSFETs SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 7899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.27 EUR
10+0.93 EUR
100+0.73 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N FDT439N Hersteller : onsemi fdt439n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 28111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.43 EUR
17+1.04 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N FDT439N Hersteller : ON Semiconductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N FDT439N Hersteller : ONSEMI 2298598.pdf Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N FDT439N Hersteller : ONSEMI 2298598.pdf Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N FDT439N Hersteller : ON Semiconductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT439N Hersteller : ON-Semicoductor fdt439n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH