FDT439N onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
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Technische Details FDT439N onsemi
Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FDT439N nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FDT439N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V |
auf Bestellung 16014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDT439N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT439N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SOT-223 N-CH 30V |
auf Bestellung 39265 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDT439N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT439N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDT439N | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDT439N | Hersteller : ONSEMI |
FDT439N SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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