FDT86102LZ ON Semiconductor
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Technische Details FDT86102LZ ON Semiconductor
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Weitere Produktangebote FDT86102LZ nach Preis ab 1.08 EUR bis 6.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FDT86102LZ | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86102LZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 32021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDT86102LZ | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1849 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 1.51 EUR |
| 118+ | 1.46 EUR |
| 139+ | 1.21 EUR |
| 200+ | 1.18 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 4000+ | 1.44 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.58 EUR |
| 113+ | 1.52 EUR |
| 139+ | 1.21 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 97+ | 1.81 EUR |
| 111+ | 1.52 EUR |
| 113+ | 1.44 EUR |
| 139+ | 1.12 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 1.87 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.39 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.39 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 32021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| 25+ | 2.4 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 250+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 6.21 EUR |
| FDT86102LZ |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)