FDT86102LZ onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.11 EUR |
| 14+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
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Technische Details FDT86102LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 2.2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Weitere Produktangebote FDT86102LZ nach Preis ab 0.91 EUR bis 5.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDT86102LZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 32021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDT86102LZ | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT86102LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 10705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |