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FDT86102LZ

FDT86102LZ onsemi

fdt86102lz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
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Technische Details FDT86102LZ onsemi

Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
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11+1.73 EUR
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : onsemi / Fairchild fdt86102lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : MULTICOMP PRO 4419345.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : MULTICOMP PRO 4419345.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9667 Stücke:
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDT86102LZ Hersteller : ON-Semicoductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0EC1CFCD6259&compId=FDT86102LZ.pdf?ci_sign=d9e25bb26a55ad7117a467467d200b2ca256a9e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDT86102LZ FDT86102LZ Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0EC1CFCD6259&compId=FDT86102LZ.pdf?ci_sign=d9e25bb26a55ad7117a467467d200b2ca256a9e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
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