FDT86106LZ ON Semiconductor
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.76 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDT86106LZ ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote FDT86106LZ nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86106LZ | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 7730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V |
auf Bestellung 27124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86106LZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 12042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| FDT86106LZ | Hersteller : Fairchild |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
FDT86106LZ Produktcode: 133317
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FDT86106LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FDT86106LZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86106LZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |