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FDT86106LZ

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDT86106LZ FDT86106LZ onsemi fdt86106lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT86106LZ FDT86106LZ Fairchild info-tfdt86106lz.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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30+1.21 EUR
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FDT86106LZ FDT86106LZ ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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83+2.13 EUR
250+1.67 EUR
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FDT86106LZ FDT86106LZ ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3431 Stücke:
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70+2.52 EUR
92+1.89 EUR
132+1.29 EUR
500+1.11 EUR
1000+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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FDT86106LZ FDT86106LZ onsemi fdt86106lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 968 Stücke:
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1+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
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2000+1.2 EUR
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FDT86106LZ FDT86106LZ onsemi fdt86106lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
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FDT86106LZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
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FDT86106LZ
Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDT86106LZ
Hersteller: ON Semiconductor
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FDT86106LZ
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Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
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