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FDT86106LZ

FDT86106LZ onsemi

fdt86106lz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
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Technische Details FDT86106LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V.

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FDT86106LZ FDT86106LZ Hersteller : ON Semiconductor fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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250+0.86 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
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