FDT86113LZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 4000+ | 0.58 EUR |
| 8000+ | 0.54 EUR |
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Technische Details FDT86113LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDT86113LZ nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDT86113LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3016 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 189mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 9892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V |
auf Bestellung 10286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86113LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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