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FDT86113LZ

FDT86113LZ onsemi

fdt86113lz-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.73 EUR
8000+0.7 EUR
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Technische Details FDT86113LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 2.2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Weitere Produktangebote FDT86113LZ nach Preis ab 0.49 EUR bis 3.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDT86113LZ FDT86113LZ ON Semiconductor fdt86113lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
4000+0.77 EUR
8000+0.75 EUR
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FDT86113LZ FDT86113LZ ON Semiconductor fdt86113lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1273 Stücke:
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188+0.93 EUR
194+0.88 EUR
223+0.75 EUR
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500+0.64 EUR
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auf Bestellung 1273 Stücke:
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157+1.12 EUR
188+0.89 EUR
194+0.83 EUR
223+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ FDT86113LZ ONSEMI fdt86113lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.65 EUR
61+1.4 EUR
68+1.26 EUR
90+0.95 EUR
101+0.84 EUR
250+0.74 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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FDT86113LZ FDT86113LZ onsemi / Fairchild fdt86113lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.52 EUR
100+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ FDT86113LZ ONSEMI 2304800.pdf Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
140+1.67 EUR
250+1.12 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ FDT86113LZ onsemi fdt86113lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 74293 Stücke:
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FDT86113LZ FDT86113LZ ONSEMI 2304800.pdf Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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123+1.9 EUR
250+1.17 EUR
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FDT86113LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDT86113LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1273 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDT86113LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.12 EUR
188+0.89 EUR
194+0.83 EUR
223+0.7 EUR
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FDT86113LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4849 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
52+1.65 EUR
61+1.4 EUR
68+1.26 EUR
90+0.95 EUR
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FDT86113LZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9862 Stücke:
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10+1.52 EUR
100+1.11 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
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FDT86113LZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 25731 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDT86113LZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 74293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
50+1.48 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ 2304800.pdf
FDT86113LZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.12 EUR
123+1.9 EUR
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH