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FDT86244

FDT86244 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FDT86244 ON Semiconductor

Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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175+1.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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FDT86244 FDT86244 onsemi / Fairchild fdt86244-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2000+0.71 EUR
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FDT86244 FDT86244 onsemi fdt86244-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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100+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDT86244 FDT86244 MULTICOMP PRO 4495384.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7500 Stücke:
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91+2.75 EUR
114+2.05 EUR
159+1.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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FDT86244 FDT86244 MULTICOMP PRO 4495384.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
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FDT86244 FDT86244 onsemi fdt86244-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
auf Bestellung 461 Stücke:
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8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.18 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2114 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 29016 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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209+0.81 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
175+1.01 EUR
207+0.82 EUR
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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2+2.12 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDT86244
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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159+1.36 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.68 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
auf Bestellung 7500 Stücke:
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100+2.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
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