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FDT86246L

FDT86246L ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
267+0.65 EUR
271+0.64 EUR
276+0.62 EUR
280+0.6 EUR
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1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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Technische Details FDT86246L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDT86246L nach Preis ab 0.48 EUR bis 4.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDT86246L FDT86246L onsemi fdt86246l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.65 EUR
8000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT86246L FDT86246L ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
267+0.64 EUR
271+0.61 EUR
276+0.57 EUR
280+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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FDT86246L FDT86246L ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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FDT86246L FDT86246L onsemi / Fairchild FDT86246L-D.PDF MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 27103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDT86246L FDT86246L ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.82 EUR
4000+0.77 EUR
8000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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FDT86246L FDT86246L onsemi fdt86246l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 8051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
26+0.83 EUR
100+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDT86246L FDT86246L ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
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FDT86246L FDT86246L ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 11206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
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FDT86246L FDT86246L ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.07 EUR
252+0.93 EUR
265+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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FDT86246L FDT86246L onsemi fdt86246l-d.pdf MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
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FDT86246L FDT86246L ONSEMI fdt86246l-d.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.3 EUR
94+2.49 EUR
250+1.51 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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FDT86246L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.65 EUR
8000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FDT86246L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
263+0.67 EUR
267+0.64 EUR
271+0.61 EUR
276+0.57 EUR
280+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
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FDT86246L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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FDT86246L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 27103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDT86246L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.82 EUR
4000+0.77 EUR
8000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
FDT86246L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 8051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
26+0.83 EUR
100+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDT86246L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
730+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
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FDT86246L
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 11206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
730+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDT86246L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+1.07 EUR
252+0.93 EUR
265+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
FDT86246L
Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 23362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.65 EUR
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDT86246L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.3 EUR
94+2.49 EUR
250+1.51 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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