Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDT86256

FDT86256

fdt86256-d.pdf
Produktcode: 188041
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 3 Stück:
3 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDT86256 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor fdt86256-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 17327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor fdt86256-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor fdt86256-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor fdt86256-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : onsemi / Fairchild FDT86256_D-1809134.pdf MOSFETs 150V NCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.43 EUR
10+1.85 EUR
100+1.43 EUR
500+1.22 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : onsemi fdt86256-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.26 EUR
500+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : ON Semiconductor 3663737319408651fdt86256.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86256 FDT86256 Hersteller : onsemi fdt86256-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH