FDT86256 ON Semiconductor
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Technische Details FDT86256 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDT86256 nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDT86256 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FDT86256 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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FDT86256 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDT86256 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V NCh MOSFET PowerTrench |
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FDT86256 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
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FDT86256 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDT86256 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDT86256 Produktcode: 188041
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDT86256 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDT86256 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V |
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