FDU3N40TU onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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14+ | 1.87 EUR |
16+ | 1.63 EUR |
100+ | 1.13 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
2000+ | 0.71 EUR |
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Technische Details FDU3N40TU onsemi
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Weitere Produktangebote FDU3N40TU nach Preis ab 1.15 EUR bis 1.98 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FDU3N40TU | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDU3N40TU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
auf Bestellung 5050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDU3N40TU | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDU3N40TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.25A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDU3N40TU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.25A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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