| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.59 EUR |
| 10+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
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Technische Details FDU3N40TU onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDU3N40TU nach Preis ab 0.24 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDU3N40TU | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDU3N40TU | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDU3N40TU |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 158+ | 1.46 EUR |
| 240+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 5000+ | 0.52 EUR |
| FDU3N40TU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 549+ | 0.32 EUR |
| 559+ | 0.3 EUR |
| 582+ | 0.27 EUR |
| 596+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |