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FDV301N

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 930000 Stücke:
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2307000 Stücke:
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3000+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.036 EUR
24000+0.032 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 312000 Stücke:
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3000+0.062 EUR
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27000+0.05 EUR
51000+0.046 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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10000+0.053 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 176219 Stücke:
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3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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400+0.089 EUR
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 400
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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FDV301N FDV301N Hersteller : UMW TFDV301n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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Mindestbestellmenge: 500
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON-Semiconductor info-tfdv301n.pdf N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI FDV301N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
auf Bestellung 41513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.072 EUR
1194+0.06 EUR
1812+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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FDV301N FDV301N Hersteller : onsemi fdv301n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 176219 Stücke:
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Anzahl Preis
53+0.33 EUR
87+0.2 EUR
139+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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FDV301N FDV301N Hersteller : ON Semiconductor fdv301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
398+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 398
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FDV301N FDV301N Hersteller : onsemi fdv301n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
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8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI fdv301n-d.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 76883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI fdv301n-d.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 76883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONSEMI fdv301n-d.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDV301N Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor FDV301N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 О
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1040 Stücke:
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auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
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FDV301N FDV301N Hersteller : ONS/FAI FDV301N.pdf SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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