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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 918000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 920687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
auf Bestellung 462000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1527000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1527000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 255000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMWAnzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301nAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 0.7nC |
auf Bestellung 59282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | onsemi |
MOSFETs N-Ch Digital |
auf Bestellung 582646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV301N | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
auf Bestellung 463020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDV301N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
auf Bestellung 75810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
auf Bestellung 75810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| FDV301N | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1040 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| FDV301N |
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auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 918000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.065 EUR |
| 6000+ | 0.051 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 920687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.065 EUR |
| 6000+ | 0.05 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 462000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 6000+ | 0.067 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1527000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.076 EUR |
| 6000+ | 0.058 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1527000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.076 EUR |
| 6000+ | 0.06 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 255000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.081 EUR |
| 9000+ | 0.075 EUR |
| 27000+ | 0.073 EUR |
| 51000+ | 0.07 EUR |
| 102000+ | 0.069 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 0.11 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 0.11 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 0.11 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.12 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.17 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
auf Bestellung 59282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 455+ | 0.19 EUR |
| 521+ | 0.17 EUR |
| 603+ | 0.14 EUR |
| 881+ | 0.096 EUR |
| 1053+ | 0.081 EUR |
| 1544+ | 0.055 EUR |
| 1678+ | 0.051 EUR |
| 3000+ | 0.044 EUR |
| 6000+ | 0.042 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
MOSFETs N-Ch Digital
auf Bestellung 582646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.39 EUR |
| 14+ | 0.25 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.096 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 463020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 0.39 EUR |
| 87+ | 0.24 EUR |
| 140+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.096 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 445+ | 0.39 EUR |
| 881+ | 0.19 EUR |
| 1417+ | 0.12 EUR |
| 1600+ | 0.098 EUR |
| 1819+ | 0.083 EUR |
| 3000+ | 0.063 EUR |
| 6000+ | 0.048 EUR |
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 75810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.06V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 75810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDV301N |
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10, Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В, Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1040 Stücke:








