FDV302P
Produktcode: 105837
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FDV302P | Hersteller : Fairchild |
P-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDV302P | Hersteller : ONS/FAI |
SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV302P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV302P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDV302P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Digital FET P-Ch |
Produkt ist nicht verfügbar |