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FDWS86368-F085

FDWS86368-F085 onsemi

fdws86368_f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details FDWS86368-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : onsemi fdws86368_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3987 Stücke:
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Anzahl Preis
5+3.77 EUR
10+2.76 EUR
100+2.04 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : onsemi / Fairchild FDWS86368_F085-D.PDF MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1805 Stücke:
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1+3.8 EUR
10+2.8 EUR
100+2.08 EUR
500+1.74 EUR
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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1866 Stücke:
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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
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FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
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FDWS86368-F085 Hersteller : ONSEMI fdws86368_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 214W; DFNW8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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