FDY1002PZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 446mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563F
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.28 EUR |
| 9000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details FDY1002PZ onsemi
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDY1002PZ nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDY1002PZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH |
auf Bestellung 49423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDY1002PZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
auf Bestellung 17622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDY1002PZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDY1002PZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDY1002PZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDY1002PZ | Hersteller : ONSEMI |
FDY1002PZ Multi channel transistors |
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