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FDY1002PZ

FDY1002PZ onsemi

FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
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Technische Details FDY1002PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDY1002PZ nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDY1002PZ FDY1002PZ onsemi / Fairchild FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH
auf Bestellung 49423 Stücke:
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3+1.25 EUR
10+0.87 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
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6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDY1002PZ FDY1002PZ ONSEMI 2552631.pdf Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
210+1.11 EUR
335+0.64 EUR
527+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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FDY1002PZ FDY1002PZ ONSEMI 2552631.pdf Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
210+1.11 EUR
335+0.64 EUR
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3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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FDY1002PZ FDY1002PZ onsemi FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563F
auf Bestellung 17622 Stücke:
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13+1.63 EUR
21+1.02 EUR
100+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDY1002PZ ON Semiconductor FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R
auf Bestellung 3240 Stücke:
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227+0.77 EUR
279+0.61 EUR
332+0.49 EUR
448+0.35 EUR
462+0.32 EUR
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FDY1002PZ FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDY1002PZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH
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FDY1002PZ 2552631.pdf
FDY1002PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDY1002PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDY1002PZ FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDY1002PZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563F
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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13+1.63 EUR
21+1.02 EUR
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FDY1002PZ FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
227+0.77 EUR
279+0.61 EUR
332+0.49 EUR
448+0.35 EUR
462+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
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