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FDY102PZ

FDY102PZ onsemi

FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
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Technische Details FDY102PZ onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SC-89-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-89, SOT-490, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote FDY102PZ nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDY102PZ FDY102PZ onsemi / Fairchild FDY102PZ_D-2313233.pdf MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc
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FDY102PZ FDY102PZ onsemi FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc
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FDY102PZ
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Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
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