FDY102PZ onsemi / Fairchild


FDY102PZ_D-2313233.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc
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Technische Details FDY102PZ onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDY102PZ FDY102PZ ONSEMI FDY102PZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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FDY102PZ FDY102PZ ONSEMI FDY102PZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 625mW
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Bauform - Transistor: SC-89
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Hersteller: ONSEMI
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Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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