FDY102PZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| 9000+ | 0.15 EUR |
| 15000+ | 0.14 EUR |
| 30000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details FDY102PZ onsemi
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDY102PZ nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDY102PZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc |
auf Bestellung 162030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDY102PZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V |
auf Bestellung 34254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDY102PZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDY102PZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 3-Pin SOT-523FL T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDY102PZ | Hersteller : ONSEMI |
FDY102PZ SMD P channel transistors |
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