FDY4000CZ ON Semiconductor
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Technische Details FDY4000CZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDY4000CZ nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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FDY4000CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
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FDY4000CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
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FDY4000CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
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FDY4000CZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T |
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FDY4000CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FDY4000CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FDY4000CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R |
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| FDY4000CZ | Hersteller : ON-Semicoductor |
N/P-MOSFET 20V 700mΩ 446mW FDY4000CZ Fairchild TFDY4000cz Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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| FDY4000CZ | Hersteller : ONSEMI |
FDY4000CZ Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDY4000CZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDY4000CZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
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