FDY4000CZ

FDY4000CZ ON Semiconductor


3654784319001627fdy4000cz.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
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Technische Details FDY4000CZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : ON Semiconductor 3654784319001627fdy4000cz.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : ON Semiconductor 3654784319001627fdy4000cz.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : ON Semiconductor 3654784319001627fdy4000cz.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDY4000CZ_D-2313128.pdf MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDY4000CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : ON Semiconductor 3654784319001627fdy4000cz.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
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FDY4000CZ Hersteller : ON-Semicoductor fdy4000cz-d.pdf N/P-MOSFET 20V 700mΩ 446mW FDY4000CZ Fairchild TFDY4000cz
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FDY4000CZ Hersteller : ONSEMI fdy4000cz-d.pdf FDY4000CZ Multi channel transistors
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : onsemi fdy4000cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 446mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563F
Part Status: Active
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FDY4000CZ FDY4000CZ Hersteller : onsemi fdy4000cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 446mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
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