FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
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Technische Details FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote FES8DT-E3/45 nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FES8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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FES8DT-E3/45 | Hersteller : VISHAY |
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FES8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
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FES8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
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