
FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 820.51 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 6250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF1000R17IE4BOSA1 nach Preis ab 908.76 EUR bis 908.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF1000R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 6250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
![]() |
FF1000R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
![]() |
FF1000R17IE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |