FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 nach Preis ab 5651.99 EUR bis 5651.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: XHP LV Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.335kA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190000pF @ 1.5kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 2kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3µC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 900mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 |
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