FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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