FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.185 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.185kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.185 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.185kA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: FF1000UXTR23T2M1PBPSA1Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.185kA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190000pF @ 1.5kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 2kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3µC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 900mA Supplier Device Package: AG-XHP2K17 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V |
Produkt ist nicht verfügbar |

