
FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 108.94 EUR |
10+ | 98.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 555W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 555W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FF100R12RT4HOSA1 nach Preis ab 131.51 EUR bis 157.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 555W euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
![]() |
FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
![]() |
FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 555 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 630 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
FF100R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |