FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18, Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FF11MR12W1M1B70BPSA1 nach Preis ab 322.33 EUR bis 323.22 EUR
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FF11MR12W1M1B70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, ModuletariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55 MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 18 Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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| FF11MR12W1M1B70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
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| FF11MR12W1M1B70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Half-bridge 1200 V MOSFET Module |
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| FF11MR12W1M1B70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |