FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF11MR12W2M1HB70BPSA1 nach Preis ab 168.19 EUR bis 188.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray |
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FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET |
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FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
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FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
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FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
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