FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF1200R12KE3NOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FF1200R12KE3NOSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF1200R12KE3NOSA1 - PP, IHM I, XHP 1,7KVtariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FF1200R12KE3NOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 5000000mW 10-Pin IHM130-2 Tray |
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FF1200R12KE3NOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V |
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FF1200R12KE3NOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
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