FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
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Technische Details FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 5000W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF1200R12KE3NOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF1200R12KE3NOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV
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