FF150R12ME3G Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 200A 695W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 695 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF150R12ME3G Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONOD-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 695 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF150R12ME3G nach Preis ab 180.58 EUR bis 237.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF150R12ME3G | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||
| FF150R12ME3G | Hersteller : EUPEC |
MODULE |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||
| FF150R12ME3G | Hersteller : Infineon |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 200A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |