FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 121.36 EUR |
| 5+ | 115.84 EUR |
| 10+ | 103.69 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FF17MR12W1M1HB11BPSA1 nach Preis ab 115.84 EUR bis 177.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
FF17MR12W1M1H_B11 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |