Technische Details FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 475A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm.
Weitere Produktangebote FF1MR12KM1HPHPSA1 nach Preis ab 888.92 EUR bis 1011.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF1MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF1MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF1MR12KM1HPHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1011.1 EUR |
| 8+ | 888.92 EUR |
| FF1MR12KM1HPHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)