FF1MR12MM1HB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF1MR12MM1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF1MR12MM1HB11BPSA1 nach Preis ab 910.61 EUR bis 1035.78 EUR
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: EconoDUAL 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
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