FF1MR12MM1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: FF1MR12MM1HB11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.91mOhm @ 500A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1600nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-ECONOD
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 767.25 EUR |
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Technische Details FF1MR12MM1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF1MR12MM1HB11BPSA1 nach Preis ab 878.12 EUR bis 1016.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 420 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: EconoDUAL 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF1MR12MM1HB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 420A 11-Pin Tray |
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