FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1MR12MM1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 470 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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FF1MR12MM1HPB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF1MR12MM1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 470 A, 1.2 kV, 0.00191 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: EconoDUAL 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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