Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > FF2000UXTR33T2M1BPSA1
FF2000UXTR33T2M1BPSA1

FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies


Infineon_FF2000UXTR33T2M1_DataSheet_v01_00_EN-3532822.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET Modules XHP HV
auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 192-196 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11965.64 EUR
10+11580.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 925A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote FF2000UXTR33T2M1BPSA1 nach Preis ab 13199.67 EUR bis 13199.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF2600UXTR33T2M1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fe3442aa75dc7 Description: MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 925A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203000pF @ 1.8kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5000nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 900mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13199.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Hersteller : INFINEON 4421928.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF2600UXTR33T2M1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fe3442aa75dc7 SIC 3.300V, 1000A Module, Half Bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH