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FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF200R12KE3-DS-v03_01-en_cn.pdf?fileId=db3a30433dcf2fc4013dd01c80660219 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 295 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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Technische Details FF200R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 295A 1050W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 295 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

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FF200R12KE3B2HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 7618ds_ff200r12ke3_3_1_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf FF200R12KE3B2HOSA1
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FF200R12KE3B2HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8025db_ff200r12ke3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileidd.pdf Dual IGBT Module
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