
FF200R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 123.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF200R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 240A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1.1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 240A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FF200R12KE4HOSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF200R12KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 240A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 1.1kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 240A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
FF200R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
FF200R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
FF200R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
FF200R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |