FF200R12KS4HOSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 1.4kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 275A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 275A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details FF200R12KS4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 1.4kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 275A, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 275A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FF200R12KS4HOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FF200R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF200R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1400W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
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| FF200R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF200R12KS4HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.4kW Topology: IGBT half-bridge |
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