FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 223.89 EUR |
| 10+ | 198.34 EUR |
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Technische Details FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 310A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 310A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF200R17KE3HOSA1 nach Preis ab 232.91 EUR bis 232.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 310A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF200R17KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |