FF200R17KE4PHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 1250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-62MMHB
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Technische Details FF200R17KE4PHPSA1 Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 1250 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: AG-62MMHB, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
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| FF200R17KE4PHPSA1 | Infineon Technologies |
 IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF200R17KE4PHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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