FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF225R12ME4PBPSA1 nach Preis ab 189.51 EUR bis 275.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF225R12ME4PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| FF225R12ME4PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
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auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 25+ | 202.37 EUR |
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| FF225R12ME4PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
auf Bestellung 166 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 220.26 EUR |
| 100+ | 206.25 EUR |
| FF225R12ME4PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
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| 25+ | 220.26 EUR |
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| FF225R12ME4PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 450A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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