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FF225R17ME7B11BPSA1

FF225R17ME7B11BPSA1 INFINEON

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 225A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 225A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details FF225R17ME7B11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF225R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 20mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 225A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FF225R17ME7B11BPSA1 FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies infineonff225r17me7b11datasheetv0120en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
auf Bestellung 756 Stücke:
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FF225R17ME7B11BPSA1 FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies infineonff225r17me7b11datasheetv0120en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
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100+253.11 EUR
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FF225R17ME7B11BPSA1 FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R17ME7_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018018974af4542e Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
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FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon_FF225R17ME7_B11_DataSheet_v01_20_DE-3162389.pdf IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module
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10+238.29 EUR
100+215.72 EUR
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Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A
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IGBT Modules 1700 V, 225 A dual IGBT module
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