FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 807.22 EUR |
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Technische Details FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-62MMHB, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V.
Weitere Produktangebote FF2MR12KM1HHPSA1 nach Preis ab 1005.12 EUR bis 1097.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |