FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF2MR12KM1HHPSA1 nach Preis ab 696.66 EUR bis 1097.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
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