FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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Technische Details FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF2MR12KM1HHPSA1 nach Preis ab 631.15 EUR bis 1210 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 754.23 EUR |
| FF2MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 755.91 EUR |
| 10+ | 631.15 EUR |
| FF2MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1018.89 EUR |
| 5+ | 927.2 EUR |
| FF2MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 290A 7-Pin Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1210 EUR |