
FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies

Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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Anzahl | Preis |
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Technische Details FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER 62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-62MMHB, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V.
Weitere Produktangebote FF2MR12KM1HHPSA1 nach Preis ab 993.43 EUR bis 1097.45 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V |
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FF2MR12KM1HHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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