FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF2MR12KM1HPHPSA1 nach Preis ab 617.08 EUR bis 1015.56 EUR
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MMHB |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
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| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005861616 |
Produkt ist nicht verfügbar |