FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF2MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA, Supplier Device Package: AG-62MMHB.
Weitere Produktangebote FF2MR12KM1HPHPSA1 nach Preis ab 1098.2 EUR bis 1108.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
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| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA Supplier Device Package: AG-62MMHB |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF2MR12KM1HPHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005861616 |
Produkt ist nicht verfügbar |